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Microsemi Corporation - APT68GA60B2D40

KEY Part #: K6422189

APT68GA60B2D40 Preise (USD) [8822Stück Lager]

  • 1 pcs$4.69487
  • 47 pcs$4.67151
Artikelnummer:
APT68GA60B2D40
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 600V 121A 520W TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT68GA60B2D40 elektronische Komponenten. APT68GA60B2D40 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT68GA60B2D40 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT68GA60B2D40 Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT68GA60B2D40
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 600V 121A 520W TO-247
Serie : POWER MOS 8™
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 121A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 202A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 40A
Leistung max : 520W
Energie wechseln : 715µJ (on), 607µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 198nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 21ns/133ns
Testbedingung : 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3 Variant
Supplier Device Package : -

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