Toshiba Semiconductor and Storage - RN1905FE,LF(CT

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RN1905FE,LF(CT Preise (USD) [1936260Stück Lager]

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Artikelnummer:
RN1905FE,LF(CT
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1905FE,LF(CT Produkteigenschaften

Artikelnummer : RN1905FE,LF(CT
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : 250MHz
Leistung max : 100mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package : ES6

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