Artikelnummer :
RN1905FE,LF(CT
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Transistortyp :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
250MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package :
ES6