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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400C-3DBI

KEY Part #: K921897

[10221Stück Lager]

    Artikelnummer:
    IS43DR86400C-3DBI
    Hersteller:
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    Detaillierte Beschreibung:
    IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz DDR2
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Embedded - Mikrocontroller, PMIC - Spannungsregler - Linear + Schalten, Schnittstelle - CODECs, PMIC - RMS-zu-DC-Wandler, Embedded - System On Chip (SoC), Datenerfassung - ADCs / DACs - besonderer Zweck, Linear - Verstärker - Spezialanwendungen and PMIC - Spannungsreferenz ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBI elektronische Komponenten. IS43DR86400C-3DBI kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IS43DR86400C-3DBI haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IS43DR86400C-3DBI Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IS43DR86400C-3DBI
    Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
    Serie : -
    Teilestatus : Active
    Speichertyp : Volatile
    Speicherformat : DRAM
    Technologie : SDRAM - DDR2
    Speichergröße : 512Mb (64M x 8)
    Taktfrequenz : 333MHz
    Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
    Zugriffszeit : 450ps
    Speicherschnittstelle : Parallel
    Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V
    Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 60-TFBGA
    Supplier Device Package : 60-TWBGA (8x10.5)

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