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- Artikelnummer:
- VS-GT400TH120N
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 600A 2119W DIAP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT400TH120N elektronische Komponenten. VS-GT400TH120N kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VS-GT400TH120N haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
VS-GT400TH120N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
VS-GT400TH120N
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
Trench
Aufbau :
Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
600A
Leistung max :
2119W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 400A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
28.8nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Double INT-A-PAK (3 + 8)
Supplier Device Package :
Double INT-A-PAK
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