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Microsemi Corporation - APTM60A11FT1G

KEY Part #: K6522631

APTM60A11FT1G Preise (USD) [2469Stück Lager]

  • 1 pcs$17.54401
  • 100 pcs$17.32427
Artikelnummer:
APTM60A11FT1G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM60A11FT1G elektronische Komponenten. APTM60A11FT1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM60A11FT1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM60A11FT1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM60A11FT1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 132 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 330nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10552pF @ 25V
Leistung max : 390W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP1
Supplier Device Package : SP1

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