IPG20N04S412AATMA1 Preise (USD) [194417Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPG20N04S412AATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - RF and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPG20N04S412AATMA1 elektronische Komponenten. IPG20N04S412AATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPG20N04S412AATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPG20N04S412AATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPG20N04S412AATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 15µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1470pF @ 25V
Leistung max :
41W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8-10
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