IXFH12N100P Preise (USD) [17750Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFH12N100P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFH12N100P elektronische Komponenten. IXFH12N100P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFH12N100P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFH12N100P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFH12N100P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
Serie :
HiPerFET™, PolarP2™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4080pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
463W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247AD (IXFH)
Paket / fall :
TO-247-3
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