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Microsemi Corporation - APTC90DAM60T1G

KEY Part #: K6403852

APTC90DAM60T1G Preise (USD) [2215Stück Lager]

  • 100 pcs$21.96250
Artikelnummer:
APTC90DAM60T1G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays and Dioden - Gleichrichter - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTC90DAM60T1G elektronische Komponenten. APTC90DAM60T1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTC90DAM60T1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC90DAM60T1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTC90DAM60T1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 59A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 6mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 540nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13600pF @ 100V
FET-Funktion : Super Junction
Verlustleistung (max.) : 462W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SP1
Paket / fall : SP1

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