Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
IC DUAL 2A NAND FET DRVR 8-SOIC
Angetriebene Konfiguration :
Low-Side
Gate-Typ :
N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannungsversorgung :
4V ~ 14V
Logikspannung - VIL, VIH :
1V, 4V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) :
2A, 2A
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) :
-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) :
14ns, 15ns
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 125°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOIC