Microsemi Corporation - JAN1N6622

KEY Part #: K6444329

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    Artikelnummer:
    JAN1N6622
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N6622 elektronische Komponenten. JAN1N6622 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N6622 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N6622 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : JAN1N6622
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL
    Serie : Military, MIL-PRF-19500/585
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 660V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 2A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 660V
    Kapazität @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : A, Axial
    Supplier Device Package : -
    Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C

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