Vishay Semiconductor Diodes Division - 80EPS12

KEY Part #: K6451223

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    Artikelnummer:
    80EPS12
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Leistungstreibermodule ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division 80EPS12 elektronische Komponenten. 80EPS12 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 80EPS12 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    80EPS12 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : 80EPS12
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 80A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.17V @ 80A
    Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : -
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 1200V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : TO-247-3
    Supplier Device Package : TO-247AC
    Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C

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