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GeneSiC Semiconductor - GC10MPS12-220

KEY Part #: K6433306

GC10MPS12-220 Preise (USD) [7838Stück Lager]

  • 1 pcs$5.25755
Artikelnummer:
GC10MPS12-220
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - JFETs, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220 elektronische Komponenten. GC10MPS12-220 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu GC10MPS12-220 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GC10MPS12-220 Produkteigenschaften

Artikelnummer : GC10MPS12-220
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 54A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 10A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : 660pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2
Supplier Device Package : TO-220-2
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
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