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- Artikelnummer:
- ESH2BHE3/5BT
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Leistungstreibermodule, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division ESH2BHE3/5BT elektronische Komponenten. ESH2BHE3/5BT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ESH2BHE3/5BT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ESH2BHE3/5BT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ESH2BHE3/5BT
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
Serie :
-
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
930mV @ 2A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
2µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214AA, SMB
Supplier Device Package :
DO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 175°C
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