Vishay Semiconductor Diodes Division - IMBD4148-HE3-08

KEY Part #: K6458552

IMBD4148-HE3-08 Preise (USD) [2288266Stück Lager]

  • 1 pcs$0.01616
  • 15,000 pcs$0.01221

Artikelnummer:
IMBD4148-HE3-08
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division IMBD4148-HE3-08 elektronische Komponenten. IMBD4148-HE3-08 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IMBD4148-HE3-08 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IMBD4148-HE3-08 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IMBD4148-HE3-08
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 75V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 150mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 10mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 2.5µA @ 70V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : SOT-23
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)

Sie könnten auch interessiert sein an
  • 1SS294,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA

  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS70-00-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single AUTO

  • BAS70-00-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single

  • BAS70-00-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single