Rohm Semiconductor - BS2100F-E2

KEY Part #: K1225708

BS2100F-E2 Preise (USD) [208632Stück Lager]

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Artikelnummer:
BS2100F-E2
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
IC DVR IGBT/MOSFET. Gate Drivers 600V Hi voltage High Low-side Gate Driver
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: PMIC - Beleuchtung, Vorschaltgerät-Controller, Schnittstelle - Controller, Schnittstelle - Filter - Aktiv, Logik - Gates und Inverter - Multifunktional, konf, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array), Embedded - CPLDs (Komplexe programmierbare Logikge, Speicher - Konfigurationsproms für FPGAs and Embedded - System On Chip (SoC) ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor BS2100F-E2 elektronische Komponenten. BS2100F-E2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BS2100F-E2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BS2100F-E2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BS2100F-E2
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : IC DVR IGBT/MOSFET
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
Angetriebene Konfiguration : Half-Bridge
Kanaltyp : Independent
Anzahl der Treiber : 2
Gate-Typ : N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung : 10V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH : 1V, 2.6V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) : 60mA, 130mA
Eingabetyp : Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) : 600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) : 200ns, 100ns
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOP

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