STGW10M65DF2 Preise (USD) [50279Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STGW10M65DF2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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STGW10M65DF2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STGW10M65DF2
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Serie :
M
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
40A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 10A
Leistung max :
115W
Energie wechseln :
120µJ (on), 270µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
28nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
19ns/91ns
Testbedingung :
400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
96ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
TO-247
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