1N4150W-E3-18 Preise (USD) [2895399Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- 1N4150W-E3-18
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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1N4150W-E3-18 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
1N4150W-E3-18
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1V @ 200mA
Geschwindigkeit :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) :
4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100nA @ 50V
Kapazität @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOD-123
Supplier Device Package :
SOD-123
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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Heiße Teile
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- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
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- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
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- D6025L
- RK 14V1
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- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
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- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
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- BAS283-GS18