IDP30E65D2XKSA1 Preise (USD) [73006Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IDP30E65D2XKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IDP30E65D2XKSA1 elektronische Komponenten. IDP30E65D2XKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IDP30E65D2XKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IDP30E65D2XKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IDP30E65D2XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
60A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2.2V @ 30A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
42ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
40µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-220-2
Supplier Device Package :
PG-TO220-2-1
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 175°C
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