Artikelnummer :
IDB30E120ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
50A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2.15V @ 30A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
243ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100µA @ 1200V
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
PG-TO263-3
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C