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Microsemi Corporation - APT50M65B2LLG

KEY Part #: K6392634

APT50M65B2LLG Preise (USD) [3477Stück Lager]

  • 1 pcs$13.70441
Artikelnummer:
APT50M65B2LLG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF, Leistungstreibermodule, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT50M65B2LLG elektronische Komponenten. APT50M65B2LLG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT50M65B2LLG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50M65B2LLG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT50M65B2LLG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 67A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 141nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7010pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 694W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : T-MAX™ [B2]
Paket / fall : TO-247-3 Variant

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