Vishay Siliconix - SI1400DL-T1-E3

KEY Part #: K6408703

SI1400DL-T1-E3 Preise (USD) [536Stück Lager]

  • 3,000 pcs$0.06811

Artikelnummer:
SI1400DL-T1-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Leistungstreibermodule, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI1400DL-T1-E3 elektronische Komponenten. SI1400DL-T1-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI1400DL-T1-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1400DL-T1-E3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SI1400DL-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 568mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SC-70-6 (SOT-363)
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363