BAS33-TAP Preise (USD) [2457210Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BAS33-TAP
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 40 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division BAS33-TAP elektronische Komponenten. BAS33-TAP kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BAS33-TAP haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BAS33-TAP Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BAS33-TAP
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
30V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Geschwindigkeit :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
1nA @ 15V
Kapazität @ Vr, F :
3pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package :
DO-35
Betriebstemperatur - Übergang :
175°C (Max)
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