Taiwan Semiconductor Corporation - MUR315S M6G

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MUR315S M6G Preise (USD) [718289Stück Lager]

  • 1 pcs$0.05149

Artikelnummer:
MUR315S M6G
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUR315S M6G Produkteigenschaften

Artikelnummer : MUR315S M6G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 150V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 3A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 150V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AB, SMC
Supplier Device Package : DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

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