MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR Preise (USD) [17191Stück Lager]
- 1 pcs$3.02809
- 2,000 pcs$3.01302
- Artikelnummer:
- MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR
- Hersteller:
- Micron Technology Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA. NOR Flash EW-SERIES FLASH NOR SLC 32MX16 LBGA
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Schnittstelle - UARTs (Universal Asynchronous Rece, Datenerfassung - ADCs / DACs - besonderer Zweck, PMIC - ODER - Controller, ideale Dioden, Embedded - Mikroprozessoren, IC-Chips, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m, PMIC - Beleuchtung, Vorschaltgerät-Controller and Logik - FIFOs Speicher ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR elektronische Komponenten. MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR
Hersteller :
Micron Technology Inc.
Beschreibung :
IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA
Serie :
Automotive, AEC-Q100
Teilestatus :
Active
Speichertyp :
Non-Volatile
Speicherformat :
FLASH
Technologie :
FLASH - NOR
Speichergröße :
512Mb (64M x 8, 32M x 16)
Taktfrequenz :
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
60ns
Zugriffszeit :
105ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 105°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
64-LBGA
Supplier Device Package :
64-LBGA (11x13)
Neuesten Nachrichten
Sie könnten auch interessiert sein an
-
-
71V25761S183PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline
-
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
-
Heiße Teile
- AT49BV163D-70TU-T
- MT48LC4M16A2TG-6 IT:G
- MT46V32M16FN-5B:F
- MT46V256M4P-6T:A
- AT49BV002ANT-70PI
- CY7C128A-15PC
- AT27C512R-90RI
- AT24C04N-10SI
- MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C
- 25AA640A-I/S16K
- S99GL01GP11TFIR10
- MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
- IS42SM32400G-75BLI-TR
- LE25FW056CS-TRM-E
- AT28HC64BF-70SU
- MT42L256M64D4LM-25 WT:A
- MT41DCHA-V80A:E
- MT29C4G96MAZBACKD-5 WT
- CY7C1380C-167AC
- AT28C64E-12TI
- W25Q32FVSSIG
- S25FL064P0XNFI001
- AT25DF041A-MHF-Y
- MT45W1MW16BDGB-701 IT
- MT41K512M4HX-187E:D
- CY7C1360S-166BZC
- CAT28F010HI12
- IDT71V35761S200PF8
- IDT71256SA12PZ8
- W631GG6KB12I TR
- S70FL01GSAGBHIC13
- 70V05L20J8
- 7038L15PF8
- S34ML02G104BHA010
- CY7C1263V18-375BZXC
- MT29F8G08AAAWP:A TR
- CY14B101K-SP35XCT
- IS42S16160B-6T
- CY7C1399BL-12ZXCT
- S25FL128SDPMFIG03