RS1P600BETB1 Preise (USD) [76290Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RS1P600BETB1
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor RS1P600BETB1 elektronische Komponenten. RS1P600BETB1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RS1P600BETB1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
RS1P600BETB1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RS1P600BETB1
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
17.5A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.7 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2200pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-HSOP
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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