Taiwan Semiconductor Corporation - SFS1008G MNG

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SFS1008G MNG Preise (USD) [280423Stück Lager]

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Artikelnummer:
SFS1008G MNG
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - spezieller Zweck ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SFS1008G MNG Produkteigenschaften

Artikelnummer : SFS1008G MNG
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 5A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : TO-263AB (D²PAK)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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