Vishay Semiconductor Diodes Division - 8EWF12STR

KEY Part #: K6451207

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    Artikelnummer:
    8EWF12STR
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - RF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division 8EWF12STR elektronische Komponenten. 8EWF12STR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 8EWF12STR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    8EWF12STR Produkteigenschaften

    Artikelnummer : 8EWF12STR
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 8A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 270ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 1200V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Supplier Device Package : D-PAK (TO-252AA)
    Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C

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