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Microsemi Corporation - JAN1N3612

KEY Part #: K6427426

JAN1N3612 Preise (USD) [12487Stück Lager]

  • 1 pcs$3.51511
  • 129 pcs$3.49762
Artikelnummer:
JAN1N3612
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 1A STD 400V HR
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Leistungstreibermodule, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N3612 elektronische Komponenten. JAN1N3612 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N3612 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N3612 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JAN1N3612
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/228
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 400V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 300V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : A, Axial
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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