RFN2L6STE25 Preise (USD) [382530Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RFN2L6STE25
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diodes
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - TRIACs and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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RFN2L6STE25 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RFN2L6STE25
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.55V @ 1.5A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214AC, SMA
Supplier Device Package :
PMDS
Betriebstemperatur - Übergang :
150°C (Max)
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