IDW30E60AFKSA1 Preise (USD) [45570Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IDW30E60AFKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IDW30E60AFKSA1 elektronische Komponenten. IDW30E60AFKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IDW30E60AFKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IDW30E60AFKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IDW30E60AFKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
60A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2V @ 30A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
143ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
40µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
TO-247-3
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 175°C
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