Vishay Semiconductor Diodes Division - GI820-E3/54

KEY Part #: K6451983

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    Artikelnummer:
    GI820-E3/54
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 50V 5A P600.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Thyristoren - Thyristoren ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division GI820-E3/54 elektronische Komponenten. GI820-E3/54 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu GI820-E3/54 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GI820-E3/54 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : GI820-E3/54
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 50V 5A P600
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 5A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 5A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 200ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 50V
    Kapazität @ Vr, F : 300pF @ 4V, 1MHz
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : P600, Axial
    Supplier Device Package : P600
    Betriebstemperatur - Übergang : -50°C ~ 150°C

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