Artikelnummer :
IXDN602SIATR
Hersteller :
IXYS Integrated Circuits Division
Beschreibung :
2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN
Angetriebene Konfiguration :
Low-Side
Gate-Typ :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannungsversorgung :
4.5V ~ 35V
Logikspannung - VIL, VIH :
0.8V, 3V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) :
2A, 2A
Eingabetyp :
Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) :
-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) :
7.5ns, 6.5ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOIC