SIZF906DT-T1-GE3 Preise (USD) [125990Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIZF906DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIZF906DT-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIZF906DT-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIZF906DT-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIZF906DT-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIZF906DT-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Leistung max :
38W (Tc), 83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerWDFN
Supplier Device Package :
8-PowerPair® (6x5)
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