Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Transistortyp :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
250MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package :
EMT6