EPC - EPC2101ENGRT

KEY Part #: K6523299

EPC2101ENGRT Preise (USD) [19588Stück Lager]

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Artikelnummer:
EPC2101ENGRT
Hersteller:
EPC
Detaillierte Beschreibung:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - IGBTs - Module ...
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Wir sind spezialisiert auf EPC EPC2101ENGRT elektronische Komponenten. EPC2101ENGRT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EPC2101ENGRT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2101ENGRT Produkteigenschaften

Artikelnummer : EPC2101ENGRT
Hersteller : EPC
Beschreibung : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Serie : eGaN®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 30V
Leistung max : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die
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