Infineon Technologies - IRF7104PBF

KEY Part #: K6524643

IRF7104PBF Preise (USD) [3763Stück Lager]

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Artikelnummer:
IRF7104PBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7104PBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRF7104PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 15V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO

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