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WeEn Semiconductors - BYR29X-800,127

KEY Part #: K6445560

BYR29X-800,127 Preise (USD) [7305Stück Lager]

  • 5,000 pcs$0.18826
Artikelnummer:
BYR29X-800,127
Hersteller:
WeEn Semiconductors
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultrafast Recovery Diodes 800V 8A
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf WeEn Semiconductors BYR29X-800,127 elektronische Komponenten. BYR29X-800,127 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BYR29X-800,127 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYR29X-800,127 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BYR29X-800,127
Hersteller : WeEn Semiconductors
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 8A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Supplier Device Package : TO-220FP
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
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