Artikelnummer :
NGTD8R65F2WP
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 650V DIE
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2.8V @ 30A
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
1µA @ 650V
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Die
Betriebstemperatur - Übergang :
175°C (Max)