Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10J/TR

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Artikelnummer:
BYG10J/TR
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10J/TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : BYG10J/TR
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Avalanche
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 1.5A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 4µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AC, SMA
Supplier Device Package : DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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