IPD30N10S3L34ATMA1 Preise (USD) [226766Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD30N10S3L34ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD30N10S3L34ATMA1 elektronische Komponenten. IPD30N10S3L34ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD30N10S3L34ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD30N10S3L34ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD30N10S3L34ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
31 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 29µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1976pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
57W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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