Infineon Technologies - BAW156E6327HTSA1

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BAW156E6327HTSA1 Preise (USD) [2098304Stück Lager]

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Artikelnummer:
BAW156E6327HTSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAW156E6327HTSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BAW156E6327HTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23
Serie : -
Teilestatus : Last Time Buy
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 1.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5nA @ 75V
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : SOT-23-3

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