ON Semiconductor - FQP6N70

KEY Part #: K6418731

FQP6N70 Preise (USD) [74540Stück Lager]

  • 1 pcs$0.52718
  • 1,000 pcs$0.52456

Artikelnummer:
FQP6N70
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 700V 6.2A TO-220.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQP6N70 elektronische Komponenten. FQP6N70 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQP6N70 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP6N70 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FQP6N70
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 700V 6.2A TO-220
Serie : QFET®
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 142W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3