Vishay Semiconductor Diodes Division - VBT1045BP-E3/4W

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Artikelnummer:
VBT1045BP-E3/4W
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 45V TrenchMOS
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division VBT1045BP-E3/4W elektronische Komponenten. VBT1045BP-E3/4W kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VBT1045BP-E3/4W haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VBT1045BP-E3/4W Produkteigenschaften

Artikelnummer : VBT1045BP-E3/4W
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB
Serie : TMBS®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 45V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 680mV @ 10A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500µA @ 45V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : TO-263AB
Betriebstemperatur - Übergang : 200°C (Max)

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