DF120R12W2H3B27BOMA1 Preise (USD) [1688Stück Lager]
- 1 pcs$25.64829
- Artikelnummer:
- DF120R12W2H3B27BOMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT MODULE 800V 50A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
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DF120R12W2H3B27BOMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DF120R12W2H3B27BOMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT MODULE 800V 50A
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
50A
Leistung max :
180W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 40A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
2.35nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
Yes
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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