APT75GN120B2G Preise (USD) [6404Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APT75GN120B2G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 200A 833W TMAX.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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APT75GN120B2G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT75GN120B2G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 1200V 200A 833W TMAX
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
200A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
225A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 75A
Leistung max :
833W
Energie wechseln :
8045µJ (on), 7640µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
425nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
60ns/620ns
Testbedingung :
800V, 75A, 1 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3 Variant
Supplier Device Package :
-
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