IDB30E60ATMA1 Preise (USD) [68077Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IDB30E60ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IDB30E60ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IDB30E60ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
52.3A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2V @ 30A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
126ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
50µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 175°C
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