ON Semiconductor - NVMD3P03R2G

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Artikelnummer:
NVMD3P03R2G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMD3P03R2G Produkteigenschaften

Artikelnummer : NVMD3P03R2G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 750pF @ 24V
Leistung max : 730mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOIC

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