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- Artikelnummer:
- SUP36N20-54P-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SUP36N20-54P-E3 elektronische Komponenten. SUP36N20-54P-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SUP36N20-54P-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SUP36N20-54P-E3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SUP36N20-54P-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
53 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
127nC @ 15V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3100pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.12W (Ta), 166W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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