NGTB40N60L2WG Preise (USD) [14796Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NGTB40N60L2WG
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 80A 417W TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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NGTB40N60L2WG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NGTB40N60L2WG
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 600V 80A 417W TO247
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
160A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.61V @ 15V, 40A
Leistung max :
417W
Energie wechseln :
1.17mJ (on), 280µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
228nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
98ns/213ns
Testbedingung :
400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
73ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
TO-247
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