Infineon Technologies - IRG8P15N120KD-EPBF

KEY Part #: K6423296

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    Artikelnummer:
    IRG8P15N120KD-EPBF
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    IGBT 1200V 30A 125W TO-247AD.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRG8P15N120KD-EPBF elektronische Komponenten. IRG8P15N120KD-EPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRG8P15N120KD-EPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRG8P15N120KD-EPBF Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRG8P15N120KD-EPBF
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : IGBT 1200V 30A 125W TO-247AD
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    IGBT-Typ : -
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 30A
    Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 30A
    Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 10A
    Leistung max : 125W
    Energie wechseln : 600µJ (on), 600µJ (off)
    Eingabetyp : Standard
    Gate Charge : 98nC
    Td (ein / aus) bei 25 ° C : 15ns/170ns
    Testbedingung : 600V, 10A, 10 Ohm, 15V
    Reverse Recovery Time (trr) : 60ns
    Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : TO-247-3
    Supplier Device Package : TO-247AD